طراحی مدارهای جمع کننده و ضرب کننده 8 بیتی برگشت پذیر
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
- نویسنده فاطمه نادرپور
- استاد راهنما عباس وفایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1387
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
طراحی ضرب کننده 32 بیتی توان کم و سرعت بالا
در این پژوهش، طراحی یک ضرب کننده 33 بیتی توان کم و سرعت بالا با حداقل اندازه تراشه براساس آلگوریتم بوز بهینه شده رادیکس هشت مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش با بهینه سازی روش پیاده سازی الگوریتم بوز رادیکس هشت و همچنین استفاده از لاجیک cpl-like در پیاده سازی مداری انکودر بوز و جمع کننده ها، توان مصرفی و سطح مورد نیاز تا حد زیادی کاهش پیدا کرده است. بطوریکه در فرکانس 100 مگاه هرتز و تک...
15 صفحه اولطراحی، بهبود و lay-out ضرب کننده 64x64 بیتی
در این پایان نامه سه نوع ضرب کننده مختلف بررسی شده است. 1-ضرب کننده baugh-wooley بررسی شد بعد مدار self-time مربوطه طراحی شده و در این ضرب کننده استفاده شد که در نتیجه سرعت مدار بالا رفته و توان مصرفی کاهش یافت. 2-ضرب کننده serial بررسی شد،مدار شیفت به آن اضافه شد و در نهایت درخت wallace جهت کاهش سیکل مدار استفاده شد که در نتیجه سرعت مدار افزایش یافت. 3-ضرب کننده modular بررسی شد که با بکارگ...
15 صفحه اولشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...
متن کاملشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023